Reuters: чипы от Samsung не прошли тесты Nvidia из-за перегревов

Новые чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) от Samsung пока не смогли пройти тестирование Nvidia для использования в процессорах искусственного интеллекта (ИИ) из-за проблем с перегревом и высоким энергопотреблением, пишет агентство Reuters со ссылкой на источники.

По словам трех источников, Samsung пытается пройти тесты Nvidia для HBM3 и HBM3E с прошлого года. По словам двух из них, результаты недавнего неудачного теста для 8- и 12-слойных чипов HBM3E от Samsung были получены в апреле. Агентству также сообщили, что неудачи в удовлетворении требований Nvidia усилили опасения в отрасли и среди инвесторов о том, что Samsung может «еще больше отстать от конкурентов» SK Hynix и Micron Technology в области производства HBM.

При этом корейская компания отрицает данную информацию. В Samsung заявили, что утверждения о сбоях из-за перегрева и энергопотребления не соответствуют действительности и что тестирование проходит гладко и в соответствии с планом. В Nvidia также отказались от комментариев.

HBM – тип динамической памяти, в котором чипы укладываются вертикально для экономии места и снижения энергопотребления. Он позволяет обрабатывать огромные объемы данных, производимых ИИ.

31 марта CNBC со ссылкой на одного из топ-менеджеров Samsung сообщил, что компания планирует добавить технологию генеративного искусственного интеллекта в свой голосовой помощник Bixby.